TSM3N90CH Todos los transistores

 

TSM3N90CH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TSM3N90CH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 94 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251
 

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TSM3N90CH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:518K  taiwansemi
 tsm3n90ch tsm3n90ci tsm3n90cp tsm3n90cz.pdf pdf_icon

TSM3N90CH

TSM3N90 900V N-Channel Power MOSFET TO-220 ITO-220 PRODUCT SUMMARY Pin Definition: 1. Gate VDS (V) RDS(on)() ID (A) 2. Drain 3. Source 900 5.1 @ VGS =10V 1.5 General Description The TSM3N90 N-Channel Power MOSFET is TO-251 TO-252 (IPAK) (DPAK) produced by new advance planar process. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state re

 9.1. Size:514K  taiwansemi
 tsm3n80ch tsm3n80ci tsm3n80cp tsm3n80cz.pdf pdf_icon

TSM3N90CH

TSM3N80 800V N-Channel Power MOSFET TO-220 ITO-220 PRODUCT SUMMARY Pin Definition: 1. Gate VDS (V) RDS(on)() ID (A) 2. Drain 3. Source 800 4.2 @ VGS =10V 1.5 General Description The TSM3N80 N-Channel Power MOSFET is TO-251 TO-252 (IPAK) (DPAK) produced by new advance planar process. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state re

Otros transistores... TSM35N03PQ56 , TSM35N10CP , TSM3900DCX6 , TSM3911DCX6 , TSM3N80CH , TSM3N80CI , TSM3N80CP , TSM3N80CZ , 5N60 , TSM3N90CI , TSM3N90CP , TSM3N90CZ , TSM40N03PQ33 , TSM40N03PQ56 , TSM414K34CS , TSM4392CS , TSM4404CS .

History: AP15T15GM-HF | HM4N70F

 

 
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