TSM4392CS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TSM4392CS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 343 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0115 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
Búsqueda de reemplazo de TSM4392CS MOSFET
TSM4392CS Datasheet (PDF)
tsm4392cs.pdf

Preliminary TSM4392 30V N-Channel MOSFET PRODUCT SUMMARY SOP-8 Pin Definition: 1. Source VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Source 3. Source 11.5 @ VGS = 10V 12.5 4. Gate 30 16.5 @ VGS = 4.5V 10 5, 6, 7, 8. Drain Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application High-Side DC/
Otros transistores... TSM3N80CZ , TSM3N90CH , TSM3N90CI , TSM3N90CP , TSM3N90CZ , TSM40N03PQ33 , TSM40N03PQ56 , TSM414K34CS , 5N65 , TSM4404CS , TSM4410CS , TSM4410DCS , TSM4415CS , TSM4416DCS , TSM4424CS , TSM4425CS , TSM4426CS .
History: IPB080N03L | NTMFS4C022N | PJF9NA90 | HFP2N60S | VSE008NE2LS | NTMFS4C020N | HAT1108C
History: IPB080N03L | NTMFS4C022N | PJF9NA90 | HFP2N60S | VSE008NE2LS | NTMFS4C020N | HAT1108C



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
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