TSM4392CS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TSM4392CS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 3 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 12.5 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
   Carga de la puerta (Qg): 26 nC
   Tiempo de subida (tr): 3.5 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 343 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0115 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TSM4392CS

TSM4392CS Datasheet (PDF)

..1. Size:203K taiwansemi
tsm4392cs.pdf

Preliminary TSM4392 30V N-Channel MOSFET PRODUCT SUMMARY SOP-8 Pin Definition: 1. Source VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Source 3. Source 11.5 @ VGS = 10V 12.5 4. Gate 30 16.5 @ VGS = 4.5V 10 5, 6, 7, 8. Drain Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application High-Side DC/

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

Liste

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