TSM4416DCS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TSM4416DCS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 159.6 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
Encapsulados: SOP-8
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TSM4416DCS datasheet
tsm4416dcs.pdf
TSM4416D 30V Dual N-Channel MOSFET SOP-8 Pin Definition PRODUCT SUMMARY 1. Source 1 8. Drain 1 2. Gate 1 7. Drain 1 VDS (V) RDS(on)(m ) ID (A) 3. Source 2 6. Drain 2 4. Gate 2 5. Drain 2 15 @ VGS = 10V 11 30 24 @ VGS = 4.5V 10 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application
tsm4415cs.pdf
Preliminary TSM4415 30V P-Channel MOSFET PRODUCT SUMMARY SOP-8 Pin Definition VDS (V) RDS(on)(m ) ID (A) 1. Source 8. Drain 26 @ VGS = -20V -8.0 2. Source 7. Drain -30 3. Source 6. Drain 35 @ VGS = -10V -8.0 4. Gate 5, Drain Features Block Diagram Advance Trench Process Technology (1,2,3) High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Applicat
Otros transistores... TSM40N03PQ33, TSM40N03PQ56, TSM414K34CS, TSM4392CS, TSM4404CS, TSM4410CS, TSM4410DCS, TSM4415CS, TK10A60D, TSM4424CS, TSM4425CS, TSM4426CS, TSM4431CS, TSM4433CS, TSM4433DCS, TSM4435BCS, TSM4435CS
History: SVF4N65RD | IRL520NLPBF
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Liste
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