TSM4513DCS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TSM4513DCS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 16.3 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 278 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TSM4513DCS

TSM4513DCS Datasheet (PDF)

..1. Size:192K taiwansemi
tsm4513dcs.pdf

TSM4513D Complementary Enhancement MOSFET SOP-8 Pin Definition: MOSFET PRODUCT SUMMARY 1. Source 1 8. Drain 1 VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Gate 1 7. Drain 1 3. Source 2 6. Drain 2 14 @ VGS = 4.5V 6 4. Gate 2 5. Drain 2 N-Channel 20 16 @ VGS = 2.5V 4 18 @ VGS = -4.5V -6 P-Channel -20 25 @ VGS = -2.5V -4 Block Diagram Features Low RDS(ON) Provides

9.1. Size:68K taiwansemi
tsm4539dcs.pdf

TSM4539D Complementary Enhancement MOSFET SOP-8 MOSFET PRODUCT SUMMARY Pin Definition: 1. Source 1 8. Drain 1 VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Gate 1 7. Drain 1 3. Source 2 6. Drain 2 28 @ VGS = 10V 6.5 4. Gate 2 5. Drain 2 N-Channel 30 42 @ VGS = 4.5V 5.0 65 @ VGS = -10V -4.2 P-Channel -30 90 @ VGS = -4.5V -3.5 Block Diagram Features Advance Trench

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Liste

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