Справочник MOSFET. TSM4513DCS

 

TSM4513DCS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TSM4513DCS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 278 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для TSM4513DCS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSM4513DCS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:192K  taiwansemi
 tsm4513dcs.pdf pdf_icon

TSM4513DCS

TSM4513D Complementary Enhancement MOSFET SOP-8 Pin Definition: MOSFET PRODUCT SUMMARY 1. Source 1 8. Drain 1 VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Gate 1 7. Drain 1 3. Source 2 6. Drain 2 14 @ VGS = 4.5V 6 4. Gate 2 5. Drain 2 N-Channel 20 16 @ VGS = 2.5V 4 18 @ VGS = -4.5V -6 P-Channel -20 25 @ VGS = -2.5V -4 Block Diagram Features Low RDS(ON) Provides

 9.1. Size:68K  taiwansemi
 tsm4539dcs.pdf pdf_icon

TSM4513DCS

TSM4539D Complementary Enhancement MOSFET SOP-8 MOSFET PRODUCT SUMMARY Pin Definition: 1. Source 1 8. Drain 1 VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Gate 1 7. Drain 1 3. Source 2 6. Drain 2 28 @ VGS = 10V 6.5 4. Gate 2 5. Drain 2 N-Channel 30 42 @ VGS = 4.5V 5.0 65 @ VGS = -10V -4.2 P-Channel -30 90 @ VGS = -4.5V -3.5 Block Diagram Features Advance Trench

Другие MOSFET... TSM4425CS , TSM4426CS , TSM4431CS , TSM4433CS , TSM4433DCS , TSM4435BCS , TSM4435CS , TSM4436CS , IRFZ46N , TSM4539DCS , TSM4835CS , TSM4872CS , TSM4886CS , TSM4925DCS , TSM4936DCS , TSM4944DCS , TSM4946DCS .

History: APT39M60J | IPD082N10N3G | AM40P10-200P | NCE65N460F | CS10N65FA9HD | VBZE50N06 | UTT20N10

 

 
Back to Top

 


 
.