TSM4835CS Todos los transistores

 

TSM4835CS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TSM4835CS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 597 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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TSM4835CS datasheet

 ..1. Size:179K  taiwansemi
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TSM4835CS

Preliminary TSM4835 30V P-Channel MOSFET PRODUCT SUMMARY SOP-8 Pin Definition 1. Source VDS (V) RDS(on)(m ) ID (A) 2. Source 3. Source 18 @ VGS = -10V -9.6 4. Gate -30 30 @ VGS = -4.5V -7.5 5, 6, 7, 8. Drain Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application Load Switche

 9.1. Size:237K  taiwansemi
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TSM4835CS

TSM4872 30V N-Channel MOSFET SOP-8 Pin Definition PRODUCT SUMMARY 1. Source VDS (V) RDS(on)(m ) ID (A) 2. Source 3. Source 7.5 @ VGS =10V 15 4. Gate 30 5, 6, 7, 8. Drain 10 @ VGS 4.5V 13 Block Diagram Features Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application DC-DC Conversion Battery Sw

 9.2. Size:233K  taiwansemi
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TSM4835CS

TSM4886 30V N-Channel MOSFET SOP-8 Pin Definition PRODUCT SUMMARY 1. Source VDS (V) RDS(on)(m ) ID (A) 2. Source 3. Source 10 @ VGS = 10V 13 4. Gate 30 5, 6, 7, 8. Drain 13.5 @ VGS = 4.5V 11 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application DC-DC Conversion Batter

Otros transistores... TSM4431CS, TSM4433CS, TSM4433DCS, TSM4435BCS, TSM4435CS, TSM4436CS, TSM4513DCS, TSM4539DCS, 18N50, TSM4872CS, TSM4886CS, TSM4925DCS, TSM4936DCS, TSM4944DCS, TSM4946DCS, TSM4953DCS, TSM4N60CH

 

 

 

 

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