TSM4835CS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TSM4835CS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9.6 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 13 ns
Выходная емкость (Cd): 597 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.018 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
TSM4835CS Datasheet (PDF)
tsm4835cs.pdf
Preliminary TSM4835 30V P-Channel MOSFET PRODUCT SUMMARY SOP-8 Pin Definition: 1. Source VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Source 3. Source 18 @ VGS = -10V -9.6 4. Gate -30 30 @ VGS = -4.5V -7.5 5, 6, 7, 8. Drain Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application Load Switche
tsm4872cs.pdf
TSM4872 30V N-Channel MOSFET SOP-8 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Source VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Source 3. Source 7.5 @ VGS =10V 15 4. Gate 30 5, 6, 7, 8. Drain 10 @ VGS 4.5V 13 Block Diagram Features Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application DC-DC Conversion Battery Sw
tsm4886cs.pdf
TSM4886 30V N-Channel MOSFET SOP-8 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Source VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Source 3. Source 10 @ VGS = 10V 13 4. Gate 30 5, 6, 7, 8. Drain 13.5 @ VGS = 4.5V 11 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application DC-DC Conversion Batter
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: AP4435
