TSM5ND50CH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TSM5ND50CH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.8 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 20 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11.7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TSM5ND50CH

TSM5ND50CH Datasheet (PDF)

..1. Size:300K taiwansemi
tsm5nd50ch tsm5nd50cp.pdf

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9.1. Size:364K taiwansemi
tsm5nb50cz.pdf

TSM5NB50 500V N-Channel Power MOSFET TO-220 ITO-220 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Gate VDS (V) RDS(on)() ID (A) 2. Drain 3. Source 500 1.5 @ VGS =10V 4.4 General Description The TSM5NB50 N-Channel Power MOSFET is TO-251 TO-252 (IPAK) (DPAK) produced by new advance planar process. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state re

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Liste

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