TSM6866SDCA Todos los transistores

 

TSM6866SDCA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TSM6866SDCA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP-8
 

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TSM6866SDCA Datasheet (PDF)

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TSM6866SDCA

TSM6866SD 20V Dual N-Channel MOSFET TSSOP-8 PRODUCT SUMMARY Pin Definition: 1. Drain 1 8. Drain 2 VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Source 1 7. Source 2 3. Source 1 6. Source 2 30 @ VGS = 4.5V 6.0 20 4. Gate 1 5. Gate 2 40 @ VGS = 2.5V 5.2 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Applica

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TSM6866SDCA

TSM6866D 20V Dual N-Channel MOSFET PRODUCT SUMMARY TSSOP-8 Pin Definition: VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 1. Drain 1 8. Drain 2 2. Source 1 7. Source 2 30 @ VGS = 4.5V 6.0 3. Source 1 6. Source 2 20 4. Gate 1 5. Gate 2 40 @ VGS = 2.5V 5.2 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Applica

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History: P092ABD | NP89N04PDK | STP10NK60Z | FHP4N65A | PMDPB42UN | SVS14N65SD2 | HY4008PS

 

 
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