TSM6N50CI Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TSM6N50CI  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm

Encapsulados: ITO-220

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TSM6N50CI datasheet

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TSM6N50CI

TSM6N50 500V N-Channel Power MOSFET ITO-220 TO-252 TO-251 Pin Definition PRODUCT SUMMARY (DPAK) (IPAK) 1. Gate VDS (V) RDS(on)( ) ID (A) 2. Drain 3. Source 500 1.4 @ VGS =10V 2.8 General Description The TSM6N50 N-Channel enhancement mode Power MOSFET is produced by planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-s

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