TSM80N08CZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TSM80N08CZ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 113.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 91.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 371 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TSM80N08CZ

TSM80N08CZ Datasheet (PDF)

..1. Size:62K taiwansemi
tsm80n08cz.pdf

TSM85N08 75V N-Channel Power MOSFET TO-220 PRODUCT SUMMARY Pin Definition: 1. Gate VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Drain 3. Source 75 8 @ VGS =10V 80 Features Block Diagram Advanced Trench Technology Low RDS(ON) 8m (Max.) Low gate charge typical @ 91.5nC (Typ.) Low Crss typical @ 203pF (Typ.) Ordering Information Part No. Package Packing

9.1. Size:254K taiwansemi
tsm802cq.pdf

TSM802 20V N-Channel MOSFET w/ESD Protected TDFN 3x3 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Source VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Source 3. Source 25 @ VGS = 4.5V 5 4. Gate 5, 6, 7, 8. Drain 20 30 @ VGS = 2.5V 4 65 @ VGS = 1.8V 2 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Low Profile 0

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History: KI005PDFN

Liste

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