NDB5060L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NDB5060L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 68 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
Encapsulados: TO263
Búsqueda de reemplazo de NDB5060L MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
NDB5060L datasheet
ndp5060l ndb5060l.pdf
October 1996 NDP5060L / NDB5060L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features These logic level N-Channel enhancement mode power 26 A, 60 V. RDS(ON) = 0.05 @ VGS= 5 V field effect transistors are produced using Fairchild's RDS(ON) = 0.035 @ VGS= 10 V. proprietary, high cell density, DMOS technology. This Critical DC electrical p
ndp5060l ndb5060l.pdf
Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
Otros transistores... MTP6N60 , NDB4050 , NDB4050L , NDB4060 , NDB4060L , NDB408A , NDB410A , NDB5060 , IRFZ48N , NDB508A , NDB510A , NDB6020 , NDB6020P , NDB6030 , NDB6030L , NDB6030PL , NDB603AL .
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
2sc1061 | a1023 | d313 transistor | 2sa1302 | 2sd315 | a1013 | 2sb554 | 2sd2560