NDB5060L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NDB5060L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 68 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 16 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 26 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 17 nC
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.035 Ohm
Тип корпуса: TO263
NDB5060L Datasheet (PDF)
ndp5060l ndb5060l.pdf
October 1996 NDP5060L / NDB5060L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThese logic level N-Channel enhancement mode power 26 A, 60 V. RDS(ON) = 0.05 @ VGS= 5 V field effect transistors are produced using Fairchild's RDS(ON) = 0.035 @ VGS= 10 V. proprietary, high cell density, DMOS technology. ThisCritical DC electrical p
ndp5060l ndb5060l.pdf
Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
Другие MOSFET... MTP6N60 , NDB4050 , NDB4050L , NDB4060 , NDB4060L , NDB408A , NDB410A , NDB5060 , 5N50 , NDB508A , NDB510A , NDB6020 , NDB6020P , NDB6030 , NDB6030L , NDB6030PL , NDB603AL .
