Справочник MOSFET. NDB5060L

 

NDB5060L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NDB5060L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для NDB5060L

 

 

NDB5060L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:358K  fairchild semi
 ndp5060l ndb5060l.pdf

NDB5060L NDB5060L

October 1996 NDP5060L / NDB5060L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThese logic level N-Channel enhancement mode power 26 A, 60 V. RDS(ON) = 0.05 @ VGS= 5 V field effect transistors are produced using Fairchild's RDS(ON) = 0.035 @ VGS= 10 V. proprietary, high cell density, DMOS technology. ThisCritical DC electrical p

 ..2. Size:468K  onsemi
 ndp5060l ndb5060l.pdf

NDB5060L NDB5060L

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие MOSFET... MTP6N60 , NDB4050 , NDB4050L , NDB4060 , NDB4060L , NDB408A , NDB410A , NDB5060 , AO3407 , NDB508A , NDB510A , NDB6020 , NDB6020P , NDB6030 , NDB6030L , NDB6030PL , NDB603AL .

 

 
Back to Top