TT8J11 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TT8J11
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.043 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSST8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TT8J11

TT8J11 Datasheet (PDF)

..1. Size:537K rohm
tt8j11.pdf

TT8J11 Pch -12V -3.5A Power MOSFET DatasheetlOutline(8) VDSS-12V(7) TSST8(6) RDS(on) (Max.)43mW(5) (1) ID-3.5A(2) (3) PD1.25W(4) lFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Tr1 Source (5) Tr2 Drain 2) -1.5V Drive. (2) Tr1 Gate (6) Tr2 Drain (3) Tr2 Source (7) Tr1 Drain (4) Tr2 Gate (8) Tr1 Drain 3) Built-in G-S Protection Diode.4) Sma

9.1. Size:525K rohm
tt8j13.pdf

Data Sheet1.5V Drive Pch + Pch MOSFET TT8J13Dimensions (Unit : mm) StructureSilicon P-channel MOSFETTSST8(8) (7) (6) (5)Features1) Low On-resistance.2) Small high power package. (1) (2) (3) (4)3) Low voltage drive(1.5V drive).Abbreviated symbol : J13 ApplicationSwitchingInner circuit(8) (7) (6) (5) Packaging specificationsPackage Taping

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: