TT8K1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TT8K1
   Código: K01
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 3.6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.072 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSST8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TT8K1

TT8K1 Datasheet (PDF)

..1. Size:183K rohm
tt8k1.pdf

1.V Drive Nch MOSFET TT8K1 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETTSST8(8) (7) (6) (5)Features1) Low On-resistance.(1) (2) (3) (4)2) High power package.3) 1.5V drive.Abbreviated symbol : K01 ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(8) (7) (6) (5)Package TapingTypeCode TRBasic ordering unit (pieces)

0.1. Size:509K rohm
tt8k11.pdf

Data Sheet4V Drive Nch + Nch MOSFET TT8K11 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETTSST8Features(8) (7) (6) (5)1) Low on-resistance.2) Low voltage drive(4V drive).3) Small surface mount package(TSST8). (1) (2) (3) (4)Abbreviated symbol : K11 ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(8) (7) (6) (5)Package Tapin

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: