TT8K1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TT8K1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.072 Ohm
Encapsulados: TSST8
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TT8K1 datasheet
tt8k1.pdf
1. V Drive Nch MOSFET TT8K1 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET TSST8 (8) (7) (6) (5) Features 1) Low On-resistance. (1) (2) (3) (4) 2) High power package. 3) 1.5V drive. Abbreviated symbol K01 Application Switching Packaging specifications Inner circuit (8) (7) (6) (5) Package Taping Type Code TR Basic ordering unit (pieces)
tt8k11.pdf
Data Sheet 4V Drive Nch + Nch MOSFET TT8K11 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET TSST8 Features (8) (7) (6) (5) 1) Low on-resistance. 2) Low voltage drive(4V drive). 3) Small surface mount package(TSST8). (1) (2) (3) (4) Abbreviated symbol K11 Application Switching Packaging specifications Inner circuit (8) (7) (6) (5) Package Tapin
Otros transistores... TSM9NB50CI , TSM9NB50CZ , TSU45N60 , TT8J11 , TT8J13 , TT8J2 , TT8J21 , TT8J3 , IRF1010E , TT8K11 , TT8K2 , TT8M1 , TT8M2 , TT8M3 , TT8U1 , TT8U1TR , TT8U2 .
History: WMS090N04LG2 | IXFH14N100Q2 | R6524ENZ
History: WMS090N04LG2 | IXFH14N100Q2 | R6524ENZ
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MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
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