BUK138-50DL Todos los transistores

 

BUK138-50DL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUK138-50DL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-428
 

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BUK138-50DL Datasheet (PDF)

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BUK138-50DL

Philips Semiconductors Product specification Logic level TOPFET BUK138-50DL D-PAK version of BUK117-50DLDESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAMonolithic temperature and SYMBOL PARAMETER MAX. UNIToverload protected logic level powerMOSFET in TOPFET2 technology VDS Continuous drain source voltage 50 Vassembled in a 3 pin surface mount ID Continuous drain current 8 Aplastic package. PD

 9.1. Size:34K  philips
 buk139-50dl.pdf pdf_icon

BUK138-50DL

Philips Semiconductors Product specification Logic level TOPFET BUK139-50DL D-PAK version of BUK118-50DLDESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAMonolithic temperature and SYMBOL PARAMETER MAX. UNIToverload protected logic level powerMOSFET in TOPFET2 technology VDS Continuous drain source voltage 50 Vassembled in a 3 pin surface mount ID Continuous drain current 16 Aplastic package. PD

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History: HM20N15 | HSU4094 | IRFTS8342 | IXTP32N65XM | DMP21D0UFB4-P | 2SJ389L | QM2410G

 

 
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