BUK138-50DL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BUK138-50DL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-428
Búsqueda de reemplazo de MOSFET BUK138-50DL
BUK138-50DL Datasheet (PDF)
buk138-50dl.pdf
Philips Semiconductors Product specification Logic level TOPFET BUK138-50DL D-PAK version of BUK117-50DLDESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAMonolithic temperature and SYMBOL PARAMETER MAX. UNIToverload protected logic level powerMOSFET in TOPFET2 technology VDS Continuous drain source voltage 50 Vassembled in a 3 pin surface mount ID Continuous drain current 8 Aplastic package. PD
buk139-50dl.pdf
Philips Semiconductors Product specification Logic level TOPFET BUK139-50DL D-PAK version of BUK118-50DLDESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAMonolithic temperature and SYMBOL PARAMETER MAX. UNIToverload protected logic level powerMOSFET in TOPFET2 technology VDS Continuous drain source voltage 50 Vassembled in a 3 pin surface mount ID Continuous drain current 16 Aplastic package. PD
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Liste
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