BUK553-100B Todos los transistores

 

BUK553-100B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUK553-100B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.22 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB
 

 Búsqueda de reemplazo de BUK553-100B MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

BUK553-100B PDF Specs

 ..1. Size:60K  philips
 buk553-100b.pdf pdf_icon

BUK553-100B

Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK553-100A/B Logic level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNIT logic level field-effect power transistor in a plastic envelope. BUK553 -100A -100B The device is intended for use in VDS Drain-source voltage 100 100 V Switched Mode Power Supplies ID Drain ... See More ⇒

 4.1. Size:56K  philips
 buk553-100a-b 1.pdf pdf_icon

BUK553-100B

Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK553-100A/B Logic level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNIT logic level field-effect power transistor in a plastic envelope. BUK553 -100A -100B The device is intended for use in VDS Drain-source voltage 100 100 V Switched Mode Power Supplies ID Drain ... See More ⇒

 7.1. Size:69K  philips
 buk553-48c 1.pdf pdf_icon

BUK553-100B

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK553-48C Voltage clamped logic level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA Protected N-channel enhancement SYMBOL PARAMETER MIN. TYP. MAX. UNIT mode logic level field-effect power transistor in a plastic envelope. V(CL)DSR Drain-source clamp voltage 40 48 58 V The device is intended for use in ID Drain current (... See More ⇒

 7.2. Size:54K  philips
 buk553-60a-b 1.pdf pdf_icon

BUK553-100B

Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK553-60A/B Logic level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNIT logic level field-effect power transistor in a plastic envelope. BUK553 -60A -60B The device is intended for use in VDS Drain-source voltage 60 60 V Switched Mode Power Supplies ID Drain curre... See More ⇒

SHOW MORE

Otros transistores... BUK1M200-50SGTD , BUK452-100B , BUK455-100B , BUK455-200B , BUK456-100B , BUK472-100A , BUK472-100B , BUK543-100B , STF13NM60N , BUK553-60A , BUK553-60B , BUK555-200B , BUK6207-30C , BUK6208-40C , BUK6240-75C , BUK652R7-30C , BUK6C2R1-55C .

 

 
Back to Top

 


 
.