BUK553-60B Todos los transistores

 

BUK553-60B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUK553-60B

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 15 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 95 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: TO-220AB

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BUK553-60B datasheet

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BUK553-60B

Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK553-60A/B Logic level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNIT logic level field-effect power transistor in a plastic envelope. BUK553 -60A -60B The device is intended for use in VDS Drain-source voltage 60 60 V Switched Mode Power Supplies ID Drain curre

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BUK553-60B

Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK553-100A/B Logic level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNIT logic level field-effect power transistor in a plastic envelope. BUK553 -100A -100B The device is intended for use in VDS Drain-source voltage 100 100 V Switched Mode Power Supplies ID Drain

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BUK553-60B

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK553-48C Voltage clamped logic level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA Protected N-channel enhancement SYMBOL PARAMETER MIN. TYP. MAX. UNIT mode logic level field-effect power transistor in a plastic envelope. V(CL)DSR Drain-source clamp voltage 40 48 58 V The device is intended for use in ID Drain current (

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History: BLF7G22LS-160 | WM06N30M | BUK555-200B

 

 

 

 

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