Справочник MOSFET. BUK553-60B

 

BUK553-60B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BUK553-60B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 95 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для BUK553-60B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK553-60B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:91K  philips
 buk553-60a buk553-60b.pdf pdf_icon

BUK553-60B

 5.1. Size:54K  philips
 buk553-60a-b 1.pdf pdf_icon

BUK553-60B

Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK553-60A/B Logic level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNITlogic level field-effect powertransistor in a plastic envelope. BUK553 -60A -60BThe device is intended for use in VDS Drain-source voltage 60 60 VSwitched Mode Power Supplies ID Drain curre

 7.1. Size:60K  philips
 buk553-100b.pdf pdf_icon

BUK553-60B

Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK553-100A/B Logic level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNITlogic level field-effect powertransistor in a plastic envelope. BUK553 -100A -100BThe device is intended for use in VDS Drain-source voltage 100 100 VSwitched Mode Power Supplies ID Drain

 7.2. Size:69K  philips
 buk553-48c 1.pdf pdf_icon

BUK553-60B

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK553-48C Voltage clamped logic level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAProtected N-channel enhancement SYMBOL PARAMETER MIN. TYP. MAX. UNITmode logic level field-effect powertransistor in a plastic envelope. V(CL)DSR Drain-source clamp voltage 40 48 58 VThe device is intended for use in ID Drain current (

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... BUK455-100B , BUK455-200B , BUK456-100B , BUK472-100A , BUK472-100B , BUK543-100B , BUK553-100B , BUK553-60A , IRF830 , BUK555-200B , BUK6207-30C , BUK6208-40C , BUK6240-75C , BUK652R7-30C , BUK6C2R1-55C , BUK6C3R3-75C , BUK7213-40A .

History: AP6679GJ | IRFSZ25

 

 
Back to Top

 


 
.