BUK9615-100E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BUK9615-100E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 182 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 66 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 60 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 62.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 307 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BUK9615-100E

BUK9615-100E Datasheet (PDF)

..1. Size:251K nxp
buk9615-100e.pdf

BUK9615-100EN-channel TrenchMOS logic level FET13 February 2014 Product data sheet1. General descriptionLogic level N-channel MOSFET in a SOT404 package using TrenchMOS technology.This product has been designed and qualified to AEC Q101 standard for use in highperformance automotive applications.2. Features and benefits AEC Q101 compliant Repetitive avalanche rated

3.1. Size:70K philips
buk9515-100a buk9615-100a.pdf

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor BUK9515-100ALogic level FET BUK9615-100AGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNITlevel field-effect power transistor in aplastic envelope available in VDS Drain-source voltage 100 VTO220AB and SOT404 . Using ID Drain current (DC) 75 Atrench techno

3.2. Size:719K nxp
buk9615-100a.pdf

BUK9615-100AN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 3 19 April 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications.1.2 Feature

7.1. Size:71K philips
buk95150-55a buk96150-55a buk96150-55a.pdf

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor BUK95150-55A Logic level FET BUK96150-55AGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNITlevel field-effect power transistor in aplastic envelope available in VDS Drain-source voltage 55 VTO220AB and SOT404 . Using ID Drain current (DC) 13 Atrench techno

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: