2N6758 Todos los transistores

 

2N6758 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N6758
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 30 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3
     - Selección de transistores por parámetros

 

2N6758 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:147K  international rectifier
 2n6758 irf230.pdf pdf_icon

2N6758

PD - 90334F IRF230REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6758HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6758THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF:MIL-PRF-19500/542]200V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF230 200V 0.40 9.0ATO-3The HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique

 ..2. Size:141K  fairchild semi
 2n6757 2n6758.pdf pdf_icon

2N6758

 9.1. Size:147K  international rectifier
 2n6756 irf130.pdf pdf_icon

2N6758

PD - 90333FIRF130REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6756HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6756THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF:MIL-PRF-19500/542]100V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF130 100V 0.18 14AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique process

 9.2. Size:136K  fairchild semi
 2n6755 2n6756.pdf pdf_icon

2N6758

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History: FDC654P | 2SK2796 | IRLI3803 | NDS9925A | IXTP3N50D2 | OSG60R2K8AF | IXFQ50N50P3

 

 
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