Справочник MOSFET. 2N6758

 

2N6758 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2N6758
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

2N6758 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:147K  international rectifier
2n6758 irf230.pdfpdf_icon

2N6758

PD - 90334F IRF230REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6758HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6758THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF:MIL-PRF-19500/542]200V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF230 200V 0.40 9.0ATO-3The HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique

 ..2. Size:141K  fairchild semi
2n6757 2n6758.pdfpdf_icon

2N6758

 9.1. Size:147K  international rectifier
2n6756 irf130.pdfpdf_icon

2N6758

PD - 90333FIRF130REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6756HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6756THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF:MIL-PRF-19500/542]100V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF130 100V 0.18 14AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique process

 9.2. Size:136K  fairchild semi
2n6755 2n6756.pdfpdf_icon

2N6758

Другие MOSFET... 2N6755 , 2N6756 , 2N6756JAN , 2N6756JANTX , 2N6756JANTXV , 2N6756JTX , 2N6756JTXV , 2N6757 , IRF1407 , 2N6758JAN , 2N6758JANTX , 2N6758JANTXV , 2N6758JTX , 2N6758JTXV , 2N6759 , 2N6760 , 2N6760JAN .

History: STB55NF06L | PNMET20V06E | SPD04N60C3 | OSG55R074HSZF | 2SK1501 | IRF3805S-7P | FDC654P

 

 
Back to Top

 


 
.