BUZ100S Todos los transistores

 

BUZ100S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUZ100S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 170 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 77 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 65 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 615 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB
 

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BUZ100S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:88K  siemens
buz100s spp77n05.pdf pdf_icon

BUZ100S

BUZ 100 SSPP77N05SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated dv/dt rated 175C operating temperature also in SMD availablePin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 100 S 55 V 77 A 0.015 TO-220 AB Q67040-S4001-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current ID ATC = 25

 ..2. Size:107K  infineon
buz100s.pdf pdf_icon

BUZ100S

BUZ 100SSIPMOS Power TransistorProduct SummaryFeaturesDrain source voltage 55 VVDS N channelDrain-Source on-state resistance 0.015RDS(on) Enhancement modeContinuous drain current 77 AID Avalanche rated dv/dt rated 175C operating temperaturePin 1 Pin 2 Pin 3Type Package Ordering Code PackagingG D SBUZ100S P-TO220-3-1 Q67040-S4001-A2 Tub

 0.1. Size:79K  siemens
buz100sl-4.pdf pdf_icon

BUZ100S

BUZ 100SL-4Preliminary dataSIPMOS Power Transistor Quad-channel Enhancement mode Logic level Avalanche-rated dv/dt ratedType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 100SL-4 55 V 7.4 A 0.023 P-DSO-28 C67078-S. . . .- . . Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current one channel active ID ATA = 25 C 7.4Pulsed drain current

 0.2. Size:105K  infineon
buz100sl.pdf pdf_icon

BUZ100S

BUZ 100SLSIPMOS Power TransistorProduct SummaryFeaturesDrain source voltage 55 VVDS N channelDrain-Source on-state resistance 0.012RDS(on) Enhancement modeContinuous drain current 70 AID Avalanche rated Logic Level dv/dt rated 175C operating temperaturePin 1 Pin 2 Pin 3Type Package Ordering Code PackagingG D SBUZ100SL P-TO220-3-1

Otros transistores... BUK9Y6R0-60E , BUK9Y72-80E , BUK9Y7R2-60E , BUK9Y7R6-40E , BUK9Y8R5-80E , BUK9Y8R7-60E , BUZ100 , BUZ100L , NCEP15T14 , BUZ100SL-4 , BUZ101 , BUZ101L , BUZ101S , BUZ101SL , BUZ102 , BUZ102AL , BUZ102S .

History: PDP3960

 

 
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