Справочник MOSFET. BUZ100S

 

BUZ100S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BUZ100S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 77 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 65 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 615 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для BUZ100S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUZ100S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:88K  siemens
buz100s spp77n05.pdfpdf_icon

BUZ100S

BUZ 100 SSPP77N05SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated dv/dt rated 175C operating temperature also in SMD availablePin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 100 S 55 V 77 A 0.015 TO-220 AB Q67040-S4001-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current ID ATC = 25

 ..2. Size:107K  infineon
buz100s.pdfpdf_icon

BUZ100S

BUZ 100SSIPMOS Power TransistorProduct SummaryFeaturesDrain source voltage 55 VVDS N channelDrain-Source on-state resistance 0.015RDS(on) Enhancement modeContinuous drain current 77 AID Avalanche rated dv/dt rated 175C operating temperaturePin 1 Pin 2 Pin 3Type Package Ordering Code PackagingG D SBUZ100S P-TO220-3-1 Q67040-S4001-A2 Tub

 0.1. Size:79K  siemens
buz100sl-4.pdfpdf_icon

BUZ100S

BUZ 100SL-4Preliminary dataSIPMOS Power Transistor Quad-channel Enhancement mode Logic level Avalanche-rated dv/dt ratedType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 100SL-4 55 V 7.4 A 0.023 P-DSO-28 C67078-S. . . .- . . Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current one channel active ID ATA = 25 C 7.4Pulsed drain current

 0.2. Size:105K  infineon
buz100sl.pdfpdf_icon

BUZ100S

BUZ 100SLSIPMOS Power TransistorProduct SummaryFeaturesDrain source voltage 55 VVDS N channelDrain-Source on-state resistance 0.012RDS(on) Enhancement modeContinuous drain current 70 AID Avalanche rated Logic Level dv/dt rated 175C operating temperaturePin 1 Pin 2 Pin 3Type Package Ordering Code PackagingG D SBUZ100SL P-TO220-3-1

Другие MOSFET... BUK9Y6R0-60E , BUK9Y72-80E , BUK9Y7R2-60E , BUK9Y7R6-40E , BUK9Y8R5-80E , BUK9Y8R7-60E , BUZ100 , BUZ100L , NCEP15T14 , BUZ100SL-4 , BUZ101 , BUZ101L , BUZ101S , BUZ101SL , BUZ102 , BUZ102AL , BUZ102S .

History: HMS85N95 | PDP3960

 

 
Back to Top

 


 
.