BUZ100S - описание и поиск аналогов

 

BUZ100S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUZ100S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 77 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 615 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для BUZ100S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUZ100S даташит

 ..1. Size:88K  siemens
buz100s spp77n05.pdfpdf_icon

BUZ100S

BUZ 100 S SPP77N05 SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated dv/dt rated 175 C operating temperature also in SMD available Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 100 S 55 V 77 A 0.015 TO-220 AB Q67040-S4001-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 25

 ..2. Size:107K  infineon
buz100s.pdfpdf_icon

BUZ100S

BUZ 100S SIPMOS Power Transistor Product Summary Features Drain source voltage 55 V VDS N channel Drain-Source on-state resistance 0.015 RDS(on) Enhancement mode Continuous drain current 77 A ID Avalanche rated dv/dt rated 175 C operating temperature Pin 1 Pin 2 Pin 3 Type Package Ordering Code Packaging G D S BUZ100S P-TO220-3-1 Q67040-S4001-A2 Tub

 0.1. Size:79K  siemens
buz100sl-4.pdfpdf_icon

BUZ100S

BUZ 100SL-4 Preliminary data SIPMOS Power Transistor Quad-channel Enhancement mode Logic level Avalanche-rated dv/dt rated Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 100SL-4 55 V 7.4 A 0.023 P-DSO-28 C67078-S. . . .- . . Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current one channel active ID A TA = 25 C 7.4 Pulsed drain current

 0.2. Size:105K  infineon
buz100sl.pdfpdf_icon

BUZ100S

BUZ 100SL SIPMOS Power Transistor Product Summary Features Drain source voltage 55 V VDS N channel Drain-Source on-state resistance 0.012 RDS(on) Enhancement mode Continuous drain current 70 A ID Avalanche rated Logic Level dv/dt rated 175 C operating temperature Pin 1 Pin 2 Pin 3 Type Package Ordering Code Packaging G D S BUZ100SL P-TO220-3-1

Другие MOSFET... BUK9Y6R0-60E , BUK9Y72-80E , BUK9Y7R2-60E , BUK9Y7R6-40E , BUK9Y8R5-80E , BUK9Y8R7-60E , BUZ100 , BUZ100L , IRF1405 , BUZ100SL-4 , BUZ101 , BUZ101L , BUZ101S , BUZ101SL , BUZ102 , BUZ102AL , BUZ102S .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.