BUZ101SL Todos los transistores

 

BUZ101SL MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUZ101SL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 55 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 14 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB
 

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Principales características: BUZ101SL

 ..1. Size:88K  siemens
buz101sl spp20n05l.pdf pdf_icon

BUZ101SL

BUZ 101 SL SPP20N05L SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Logic Level Avalanche-rated dv/dt rated 175 C operating temperature also in SMD available Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 101 SL 55 V 20 A 0.07 TO-220 AB Q67040-S4012-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain cur

 ..2. Size:108K  infineon
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BUZ101SL

BUZ 101SL SIPMOS Power Transistor Product Summary Features Drain source voltage 55 V VDS N channel Drain-Source on-state resistance 0.04 RDS(on) Enhancement mode Continuous drain current 20 A ID Avalanche rated Logic Level dv/dt rated 175 C operating temperature Pin 1 Pin 2 Pin 3 Type Package Ordering Code Packaging G D S BUZ101SL P-TO220-3-1 Q

 7.1. Size:68K  siemens
buz101s spp22n05.pdf pdf_icon

BUZ101SL

BUZ 101 S Preliminary data SPP22N05 SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated dv/dt rated 175 C operating temperature Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 101 S 55 V 22 A 0.06 TO-220 AB Q67040-S4013-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 25 C 22 TC

 7.2. Size:131K  infineon
buz101s.pdf pdf_icon

BUZ101SL

BUZ 101S SIPMOS PowerTransistor Product Summary Features Drain source voltage 55 V VDS N channel Drain-Source on-state resistance 0.05 RDS(on) Enhancement mode Continuous drain current 22 A ID Avalanche rated dv/dt rated 175 C operating temperature Pin 1 Pin 2 Pin 3 Type Package Ordering Code Packaging G D S BUZ101S P-TO220-3-1 Q67040-S4013-A2 Tube

Otros transistores... BUK9Y8R7-60E , BUZ100 , BUZ100L , BUZ100S , BUZ100SL-4 , BUZ101 , BUZ101L , BUZ101S , IRLB3034 , BUZ102 , BUZ102AL , BUZ102S , BUZ102SL , BUZ102SL-4 , BUZ103 , BUZ103S-4 , BUZ103SL .

 

 
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