BUZ101SL - описание и поиск аналогов

 

BUZ101SL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUZ101SL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 14 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для BUZ101SL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUZ101SL даташит

 ..1. Size:88K  siemens
buz101sl spp20n05l.pdfpdf_icon

BUZ101SL

BUZ 101 SL SPP20N05L SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Logic Level Avalanche-rated dv/dt rated 175 C operating temperature also in SMD available Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 101 SL 55 V 20 A 0.07 TO-220 AB Q67040-S4012-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain cur

 ..2. Size:108K  infineon
buz101sl.pdfpdf_icon

BUZ101SL

BUZ 101SL SIPMOS Power Transistor Product Summary Features Drain source voltage 55 V VDS N channel Drain-Source on-state resistance 0.04 RDS(on) Enhancement mode Continuous drain current 20 A ID Avalanche rated Logic Level dv/dt rated 175 C operating temperature Pin 1 Pin 2 Pin 3 Type Package Ordering Code Packaging G D S BUZ101SL P-TO220-3-1 Q

 7.1. Size:68K  siemens
buz101s spp22n05.pdfpdf_icon

BUZ101SL

BUZ 101 S Preliminary data SPP22N05 SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated dv/dt rated 175 C operating temperature Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 101 S 55 V 22 A 0.06 TO-220 AB Q67040-S4013-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 25 C 22 TC

 7.2. Size:131K  infineon
buz101s.pdfpdf_icon

BUZ101SL

BUZ 101S SIPMOS PowerTransistor Product Summary Features Drain source voltage 55 V VDS N channel Drain-Source on-state resistance 0.05 RDS(on) Enhancement mode Continuous drain current 22 A ID Avalanche rated dv/dt rated 175 C operating temperature Pin 1 Pin 2 Pin 3 Type Package Ordering Code Packaging G D S BUZ101S P-TO220-3-1 Q67040-S4013-A2 Tube

Другие MOSFET... BUK9Y8R7-60E , BUZ100 , BUZ100L , BUZ100S , BUZ100SL-4 , BUZ101 , BUZ101L , BUZ101S , IRLB3034 , BUZ102 , BUZ102AL , BUZ102S , BUZ102SL , BUZ102SL-4 , BUZ103 , BUZ103S-4 , BUZ103SL .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.