Справочник MOSFET. BUZ101SL

 

BUZ101SL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BUZ101SL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 14 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 24 nC
   trⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BUZ101SL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:88K  siemens
buz101sl spp20n05l.pdfpdf_icon

BUZ101SL

BUZ 101 SLSPP20N05LSIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Logic Level Avalanche-rated dv/dt rated 175C operating temperature also in SMD availablePin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 101 SL 55 V 20 A 0.07 TO-220 AB Q67040-S4012-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain cur

 ..2. Size:108K  infineon
buz101sl.pdfpdf_icon

BUZ101SL

BUZ 101SLSIPMOS Power TransistorProduct SummaryFeaturesDrain source voltage 55 VVDS N channelDrain-Source on-state resistance 0.04RDS(on) Enhancement modeContinuous drain current 20 AID Avalanche rated Logic Level dv/dt rated 175C operating temperaturePin 1 Pin 2 Pin 3Type Package Ordering Code PackagingG D SBUZ101SL P-TO220-3-1 Q

 7.1. Size:68K  siemens
buz101s spp22n05.pdfpdf_icon

BUZ101SL

BUZ 101 SPreliminary dataSPP22N05SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated dv/dt rated 175C operating temperaturePin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 101 S 55 V 22 A 0.06 TO-220 AB Q67040-S4013-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current ID ATC = 25 C 22TC

 7.2. Size:131K  infineon
buz101s.pdfpdf_icon

BUZ101SL

BUZ 101SSIPMOS PowerTransistorProduct SummaryFeaturesDrain source voltage 55 VVDS N channelDrain-Source on-state resistance 0.05RDS(on) Enhancement modeContinuous drain current 22 AID Avalanche rated dv/dt rated 175 C operating temperaturePin 1 Pin 2 Pin 3Type Package Ordering Code PackagingG D SBUZ101S P-TO220-3-1 Q67040-S4013-A2 Tube

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: NP180N055TUK | CHM8531JGP | ATP108 | 4N65L-TF1-T | AP3N2R2MT | NTD4810N-1G | BRCS120N10SZC

 

 
Back to Top

 


 
.