BUZ171 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUZ171  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm

Encapsulados: TO-220AB

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de BUZ171 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

BUZ171 datasheet

 ..1. Size:119K  siemens
 buz171.pdf pdf_icon

BUZ171

BUZ 171 SIPMOS Power Transistor P channel Enhancement mode Avalanche rated Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 171 -50 V -8 A 0.3 TO-220 AB C67078-S1450-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 30 C -8 Pulsed drain current IDpuls TC = 25 C -32 Avalanche energy, single pulse EAS mJ

 9.1. Size:84K  infineon
 buz173.pdf pdf_icon

BUZ171

BUZ 173 SIPMOS Power Transistor P channel Enhancement mode Avalanche rated Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 173 -200 V -3.6 A 1.5 TO-220 AB C67078-S1452-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 30 C -3.6 Pulsed drain current IDpuls TC = 25 C -14 Avalanche energy, single pulse EAS

 9.2. Size:84K  infineon
 buz172.pdf pdf_icon

BUZ171

BUZ 172 SIPMOS Power Transistor P channel Enhancement mode Avalanche rated Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 172 -100 V -5.5 A 0.6 TO-220 AB C67078-S1451-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 37 C -5.5 Pulsed drain current IDpuls TC = 25 C -22 Avalanche energy, single pulse EAS

 9.3. Size:259K  inchange semiconductor
 buz172.pdf pdf_icon

BUZ171

Isc P-Channel MOSFET Transistor BUZ172 FEATURES With TO-220 package Low input capacitance and gate charges Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications Load switch Power management ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALU

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... BUZ10L, BUZ10S2, BUZ110S, BUZ111S, BUZ111SL, BUZ11AL, BUZ12, BUZ12A, IRF540, BUZ201, BUZ202, BUZ206, BUZ210, BUZ215, BUZ216, BUZ21L, BUZ22