BUZ171 Todos los transistores

 

BUZ171 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUZ171
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB
 

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BUZ171 datasheet

 ..1. Size:119K  siemens
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BUZ171

BUZ 171 SIPMOS Power Transistor P channel Enhancement mode Avalanche rated Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 171 -50 V -8 A 0.3 TO-220 AB C67078-S1450-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 30 C -8 Pulsed drain current IDpuls TC = 25 C -32 Avalanche energy, single pulse EAS mJ ... See More ⇒

 9.1. Size:84K  infineon
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BUZ171

BUZ 173 SIPMOS Power Transistor P channel Enhancement mode Avalanche rated Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 173 -200 V -3.6 A 1.5 TO-220 AB C67078-S1452-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 30 C -3.6 Pulsed drain current IDpuls TC = 25 C -14 Avalanche energy, single pulse EAS... See More ⇒

 9.2. Size:84K  infineon
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BUZ171

BUZ 172 SIPMOS Power Transistor P channel Enhancement mode Avalanche rated Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 172 -100 V -5.5 A 0.6 TO-220 AB C67078-S1451-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 37 C -5.5 Pulsed drain current IDpuls TC = 25 C -22 Avalanche energy, single pulse EAS... See More ⇒

 9.3. Size:259K  inchange semiconductor
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BUZ171

Isc P-Channel MOSFET Transistor BUZ172 FEATURES With TO-220 package Low input capacitance and gate charges Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications Load switch Power management ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALU... See More ⇒

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