Справочник MOSFET. BUZ171

 

BUZ171 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: BUZ171
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 110 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB

 Аналог (замена) для BUZ171

 

 

BUZ171 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:119K  siemens
buz171.pdf

BUZ171
BUZ171

BUZ 171SIPMOS Power Transistor P channel Enhancement mode Avalanche ratedPin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 171 -50 V -8 A 0.3 TO-220 AB C67078-S1450-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current ID ATC = 30 C -8Pulsed drain current IDpulsTC = 25 C -32Avalanche energy, single pulse EAS mJ

 9.1. Size:84K  infineon
buz173.pdf

BUZ171
BUZ171

BUZ 173SIPMOS Power Transistor P channel Enhancement mode Avalanche ratedPin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 173 -200 V -3.6 A 1.5 TO-220 AB C67078-S1452-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current ID ATC = 30 C -3.6Pulsed drain current IDpulsTC = 25 C -14Avalanche energy, single pulse EAS

 9.2. Size:84K  infineon
buz172.pdf

BUZ171
BUZ171

BUZ 172SIPMOS Power Transistor P channel Enhancement mode Avalanche ratedPin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 172 -100 V -5.5 A 0.6 TO-220 AB C67078-S1451-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current ID ATC = 37 C -5.5Pulsed drain current IDpulsTC = 25 C -22Avalanche energy, single pulse EAS

 9.3. Size:259K  inchange semiconductor
buz172.pdf

BUZ171
BUZ171

Isc P-Channel MOSFET Transistor BUZ172FEATURESWith TO-220 packageLow input capacitance and gate chargesLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsLoad switchPower managementABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALU

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top