BUZ171 - описание и поиск аналогов

 

BUZ171 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BUZ171
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для BUZ171

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUZ171 технические параметры

 ..1. Size:119K  siemens
buz171.pdfpdf_icon

BUZ171

BUZ 171 SIPMOS Power Transistor P channel Enhancement mode Avalanche rated Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 171 -50 V -8 A 0.3 TO-220 AB C67078-S1450-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 30 C -8 Pulsed drain current IDpuls TC = 25 C -32 Avalanche energy, single pulse EAS mJ

 9.1. Size:84K  infineon
buz173.pdfpdf_icon

BUZ171

BUZ 173 SIPMOS Power Transistor P channel Enhancement mode Avalanche rated Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 173 -200 V -3.6 A 1.5 TO-220 AB C67078-S1452-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 30 C -3.6 Pulsed drain current IDpuls TC = 25 C -14 Avalanche energy, single pulse EAS

 9.2. Size:84K  infineon
buz172.pdfpdf_icon

BUZ171

BUZ 172 SIPMOS Power Transistor P channel Enhancement mode Avalanche rated Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 172 -100 V -5.5 A 0.6 TO-220 AB C67078-S1451-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 37 C -5.5 Pulsed drain current IDpuls TC = 25 C -22 Avalanche energy, single pulse EAS

 9.3. Size:259K  inchange semiconductor
buz172.pdfpdf_icon

BUZ171

Isc P-Channel MOSFET Transistor BUZ172 FEATURES With TO-220 package Low input capacitance and gate charges Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications Load switch Power management ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALU

Другие MOSFET... BUZ10L , BUZ10S2 , BUZ110S , BUZ111S , BUZ111SL , BUZ11AL , BUZ12 , BUZ12A , IRF540 , BUZ201 , BUZ202 , BUZ206 , BUZ210 , BUZ215 , BUZ216 , BUZ21L , BUZ22 .

 

 
Back to Top

 


 
.