BUZ358 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUZ358 📄📄

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.6 Ohm

Encapsulados: TO-218AA

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Búsqueda de reemplazo de BUZ358 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

BUZ358 datasheet

..1. Size:68K siemens
buz358.pdf pdf_icon

BUZ 358 SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 358 1000 V 4.5 A 2.6 TO-218 AA C67078-S3111-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 25 C 4.5 Pulsed drain current IDpuls TC = 25 C 18 Avalanche current,limited by Tjmax I

..2. Size:474K siemens
buz357 buz358.pdf pdf_icon

SIPMOS Power Transistors BUZ 357 BUZ 358 N channel Enhancement mode Avalanche-rated 1) Type VDS ID RDS (on) Package Ordering Code BUZ 357 1000 V 5.1 A 2.0 TO-218 AA C67078-S3110-A2 BUZ 358 1000 V 4.5 A 2.6 TO-218 AA C67078-S3111-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol BUZ Unit 357 358 Continuous drain current, TC = 25 C ID 5.1 4.5 A Pulsed drain current, TC = 25 C ID p

9.1. Size:280K st
buz354.pdf pdf_icon