BUZ381 Todos los transistores

 

BUZ381 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUZ381
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-218AA
 

 Búsqueda de reemplazo de BUZ381 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

BUZ381 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:178K  siemens
 buz381.pdf pdf_icon

BUZ381

 9.1. Size:96K  njs
 buz385.pdf pdf_icon

BUZ381

 9.2. Size:156K  siemens
 buz384.pdf pdf_icon

BUZ381

BUZ 384SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode FREDFETPin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 384 500 V 10.5 A 0.6 TO-218 AA C67078-A3209-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitDrain source voltage VDS 500 VVDGRDrain-gate voltageRGS = 20 k 500Continuous drain current ID ATC = 25 C 10.5Pulsed drain

 9.3. Size:130K  siemens
 buz380.pdf pdf_icon

BUZ381

BUZ 380SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode FREDFETPin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 380 1000 V 5.5 A 2 TO-218 AA C67078-A3205-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitDrain source voltage VDS 1000 VVDGRDrain-gate voltageRGS = 20 k 1000Continuous drain current ID ATC = 30 C 5.5Pulsed drain

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... BUZ350 , BUZ351 , BUZ355 , BUZ356 , BUZ357 , BUZ358 , BUZ360 , BUZ37 , IRF530 , BUZ383 , BUZ385 , BUZ40B , BUZ44A , BUZ45B , BUZ51 , BUZ53A , BUZ53C .

History: 2SK2596 | APQ0DSN60AJ | TT8K11 | BSO200P03S | NP82N055NHE

 

 
Back to Top

 


 
.