BUZ381 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BUZ381
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.6 Ohm
Тип корпуса: TO-218AA
Аналог (замена) для BUZ381
BUZ381 Datasheet (PDF)
buz384.pdf

BUZ 384SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode FREDFETPin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 384 500 V 10.5 A 0.6 TO-218 AA C67078-A3209-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitDrain source voltage VDS 500 VVDGRDrain-gate voltageRGS = 20 k 500Continuous drain current ID ATC = 25 C 10.5Pulsed drain
buz380.pdf

BUZ 380SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode FREDFETPin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 380 1000 V 5.5 A 2 TO-218 AA C67078-A3205-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitDrain source voltage VDS 1000 VVDGRDrain-gate voltageRGS = 20 k 1000Continuous drain current ID ATC = 30 C 5.5Pulsed drain
Другие MOSFET... BUZ350 , BUZ351 , BUZ355 , BUZ356 , BUZ357 , BUZ358 , BUZ360 , BUZ37 , IRF530 , BUZ383 , BUZ385 , BUZ40B , BUZ44A , BUZ45B , BUZ51 , BUZ53A , BUZ53C .
History: IPB60R099CPA | IRF1404ZGPBF | IAUC80N04S6L032 | BUZ40B | BUZ349 | H12N60E | SRC65R082B
History: IPB60R099CPA | IRF1404ZGPBF | IAUC80N04S6L032 | BUZ40B | BUZ349 | H12N60E | SRC65R082B



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
13009 datasheet | 3dd15d transistor | pa110bda | 2sb1243 | a1123 transistor | skd502t datasheet | svf7n65f | 2sc1419 datasheet