BUZ45B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUZ45B

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.49 Ohm

Encapsulados: TO-204AA

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BUZ45B datasheet

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BUZ45B

BUZ45B Semiconductor Data Sheet October 1998 File Number 2259.1 10A, 500V, 0.500 Ohm, N-Channel Power Features MOSFET 10A, 500V [ /Title This is an N-Channel enhancement mode silicon gate power rDS(ON) = 0.500 (BUZ45 field effect transistor designed for applications such as SOA is Power Dissipation Limited B) switching regulators, switching converters, motor drivers,

 ..2. Size:222K  inchange semiconductor
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BUZ45B

isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ45B FEATURES Static Drain-Source On-Resistance R = 0.5 (Max) DS(on) SOA is Power Dissipation Limited High speed switching Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Designed for applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers,relay drivers and drivers fo

 9.1. Size:287K  st
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BUZ45B

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