BUZ61A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUZ61A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm

Encapsulados: TO-220AB

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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

BUZ61A datasheet

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BUZ61A

BUZ 61 A SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 61 A 400 V 11 A 0.5 TO-220 AB C67078-S1341-A3 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 27 C 11 Pulsed drain current IDpuls TC = 25 C 44 Avalanche current,limited by Tjmax IA

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BUZ61A

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BUZ61A

BUZ 61 SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 61 400 V 12.5 A 0.4 TO-220 AB C67078-S1341-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 27 C 12.5 Pulsed drain current IDpuls TC = 25 C 50 Avalanche current,limited by Tjmax IA

Otros transistores... BUZ44A, BUZ45B, BUZ51, BUZ53A, BUZ53C, BUZ54, BUZ54A, BUZ61, 4N60, BUZ71S2, BUZ72, BUZ72AL, BUZ72L, BUZ73, BUZ73A, BUZ73AL, BUZ73L