BUZ61A Todos los transistores

 

BUZ61A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUZ61A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB
 

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BUZ61A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:187K  siemens
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BUZ61A

BUZ 61 ASIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 61 A 400 V 11 A 0.5 TO-220 AB C67078-S1341-A3Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current ID ATC = 27 C 11Pulsed drain current IDpulsTC = 25 C 44Avalanche current,limited by Tjmax IA

 ..2. Size:216K  siemens
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BUZ61A

 9.1. Size:192K  siemens
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BUZ61A

BUZ 61SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 61 400 V 12.5 A 0.4 TO-220 AB C67078-S1341-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current ID ATC = 27 C 12.5Pulsed drain current IDpulsTC = 25 C 50Avalanche current,limited by Tjmax IA

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History: 2N60L-TM3-T | TSA82N25M | DMN2005LPK | NMSD200B01-7 | 2N7002G-AE2-R | AO6608

 

 
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