BUZ61A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: BUZ61A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB
Аналог (замена) для BUZ61A
BUZ61A Datasheet (PDF)
buz61a.pdf

BUZ 61 ASIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 61 A 400 V 11 A 0.5 TO-220 AB C67078-S1341-A3Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current ID ATC = 27 C 11Pulsed drain current IDpulsTC = 25 C 44Avalanche current,limited by Tjmax IA
buz61.pdf

BUZ 61SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 61 400 V 12.5 A 0.4 TO-220 AB C67078-S1341-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current ID ATC = 27 C 12.5Pulsed drain current IDpulsTC = 25 C 50Avalanche current,limited by Tjmax IA
Другие MOSFET... BUZ44A , BUZ45B , BUZ51 , BUZ53A , BUZ53C , BUZ54 , BUZ54A , BUZ61 , 10N65 , BUZ71S2 , BUZ72 , BUZ72AL , BUZ72L , BUZ73 , BUZ73A , BUZ73AL , BUZ73L .
History: AP75T10GP | HGP130N12SL | 2SK655 | PM516BZ | NCEP40P65QU | P5015BD
History: AP75T10GP | HGP130N12SL | 2SK655 | PM516BZ | NCEP40P65QU | P5015BD



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
y2 transistor | 40n06 | bc108b | oc84 | c6090 | ksa1015yta | 2n4240 | 2n5210 transistor