BUZ61A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: BUZ61A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 400 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 11 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.5 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB
BUZ61A Datasheet (PDF)
buz61a.pdf
BUZ 61 ASIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 61 A 400 V 11 A 0.5 TO-220 AB C67078-S1341-A3Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current ID ATC = 27 C 11Pulsed drain current IDpulsTC = 25 C 44Avalanche current,limited by Tjmax IA
buz61.pdf
BUZ 61SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 61 400 V 12.5 A 0.4 TO-220 AB C67078-S1341-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current ID ATC = 27 C 12.5Pulsed drain current IDpulsTC = 25 C 50Avalanche current,limited by Tjmax IA
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
