BUZ84 Todos los transistores

 

BUZ84 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUZ84
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3
 

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BUZ84 Datasheet (PDF)

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BUZ84

isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ84FEATURESStatic Drain-Source On-Resistance: R = 2.0(Max)DS(on)SOA is Power Dissipation LimitedHigh speed switchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONDesigned for applications such as switching regulators, switchingconverters, motor drivers,relay drivers and drivers for

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BUZ84

 0.2. Size:223K  inchange semiconductor
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BUZ84

isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ84AFEATURESStatic Drain-Source On-Resistance: R = 1.5(Max)DS(on)SOA is Power Dissipation LimitedHigh speed switchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONDesigned for applications such as switching regulators, switchingconverters, motor drivers,relay drivers and drivers fo

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