CHM003TGP Todos los transistores

 

CHM003TGP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CHM003TGP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 11 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-416
 

 Búsqueda de reemplazo de CHM003TGP MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CHM003TGP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:145K  chenmko
 chm003tgp.pdf pdf_icon

CHM003TGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM003TGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 0.11 AmpereFEATURE* Small surface mounting type. (SC-75/SOT-416)* High density cell design for low RDS(ON). * Suitable for high packing density.SC-75/SOT-416* Rugged and reliable.* High saturation current capability.* Voltage controlled small signa

Otros transistores... C2M0160120D , C2M1000170D , CAS100H12AM1 , CCS050M12CM2 , CCS5Y3315CM , CDM22010-650 , CDM4-650 , CDM7-650 , STP65NF06 , CHM02N6ANGP , CHM02N6GPAGP , CHM02N6PAGP , CHM02N7NGP , CHM02N7PAGP , CHM0410JGP , CHM04N6NGP , CHM05N65PAGP .

 

 
Back to Top

 


 
.