CHM003TGP Todos los transistores

 

CHM003TGP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CHM003TGP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.15 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 0.11 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 1.8 V

Tiempo de elevación (tr): 45 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 11 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 6 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT-416

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CHM003TGP Datasheet (PDF)

1.1. chm003tgp.pdf Size:145K _update_mosfet

CHM003TGP
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CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM003TGP SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 0.11 Ampere FEATURE * Small surface mounting type. (SC-75/SOT-416) * High density cell design for low RDS(ON). * Suitable for high packing density. SC-75/SOT-416 * Rugged and reliable. * High saturation current capability. * Voltage controlled small signa

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