CHM003TGP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CHM003TGP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 11 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6 Ohm

Encapsulados: SOT-416

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CHM003TGP datasheet

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CHM003TGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM003TGP SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 0.11 Ampere FEATURE * Small surface mounting type. (SC-75/SOT-416) * High density cell design for low RDS(ON). * Suitable for high packing density. SC-75/SOT-416 * Rugged and reliable. * High saturation current capability. * Voltage controlled small signa

Otros transistores... C2M0160120D, C2M1000170D, CAS100H12AM1, CCS050M12CM2, CCS5Y3315CM, CDM22010-650, CDM4-650, CDM7-650, MMIS60R580P, CHM02N6ANGP, CHM02N6GPAGP, CHM02N6PAGP, CHM02N7NGP, CHM02N7PAGP, CHM0410JGP, CHM04N6NGP, CHM05N65PAGP