CHM06N5NGP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CHM06N5NGP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm

Encapsulados: D2PAK

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CHM06N5NGP datasheet

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CHM06N5NGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM06N5NGP SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 500 Volts CURRENT 6.6 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. D2PAK FEATURE * Small flat package. (D2PAK) 0.420(10.67) 0.190(4.83) * High density cell design for extremely low RDS(ON). 0.380(9.69) 0.160(

Otros transistores... CHM02N6GPAGP, CHM02N6PAGP, CHM02N7NGP, CHM02N7PAGP, CHM0410JGP, CHM04N6NGP, CHM05N65PAGP, CHM05P03NGP, IRF840, CHM09N6NGP, CHM09N7NGP, CHM1012LPAGP, CHM1012PAGP, CHM1012TGP, CHM1013TGP, CHM1023VGP, CHM1024VGP