CHM06N5NGP Todos los transistores

 

CHM06N5NGP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CHM06N5NGP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

CHM06N5NGP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:107K  chenmko
 chm06n5ngp.pdf pdf_icon

CHM06N5NGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM06N5NGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 500 Volts CURRENT 6.6 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D2PAKFEATURE* Small flat package. (D2PAK)0.420(10.67)0.190(4.83)* High density cell design for extremely low RDS(ON). 0.380(9.69)0.160(

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: VBM1680 | WNM12N65 | SM6A26NSF | BRCS100N06RA | FDP070AN06A0 | AP4506GEM | SSM9974GS

 

 
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