CHM1503YJGP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CHM1503YJGP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CHM1503YJGP

CHM1503YJGP Datasheet (PDF)

..1. Size:111K chenmko
chm1503yjgp.pdf

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDSURFACE MOUNT CHM1503YJGPDual Enhancement Mode Field Effect TransistorN-channel Q1: VOLTAGE 30 Volts CURRENT 8 AmpereN-channel Q2: VOLTAGE 30 Volts CURRENT 9 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* Super high dense cell design for extremely

9.1. Size:383K chenmko
chm1592xgp.pdf

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM1592XGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 500 mAmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SC-62/SOT-89FEATURE* Small surface mounting type. (SC-62/SOT-89)* High density cell design for extremely low RDS(ON). 4.6MAX. 1.6MAX.* Rugg

9.2. Size:508K chenmko
chm1592gp.pdf

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM1592GPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 500 mAmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SC-59/SOT-346FEATURE* Small flat package. (SC-59)* High density cell design for extremely low RDS(ON). * Rugged and reliable.(2)* High sat

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Liste

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