Справочник MOSFET. CHM1503YJGP

 

CHM1503YJGP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CHM1503YJGP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 11 nC
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для CHM1503YJGP

 

 

CHM1503YJGP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:111K  chenmko
chm1503yjgp.pdf

CHM1503YJGP
CHM1503YJGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDSURFACE MOUNT CHM1503YJGPDual Enhancement Mode Field Effect TransistorN-channel Q1: VOLTAGE 30 Volts CURRENT 8 AmpereN-channel Q2: VOLTAGE 30 Volts CURRENT 9 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* Super high dense cell design for extremely

 9.1. Size:383K  chenmko
chm1592xgp.pdf

CHM1503YJGP
CHM1503YJGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM1592XGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 500 mAmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SC-62/SOT-89FEATURE* Small surface mounting type. (SC-62/SOT-89)* High density cell design for extremely low RDS(ON). 4.6MAX. 1.6MAX.* Rugg

 9.2. Size:508K  chenmko
chm1592gp.pdf

CHM1503YJGP
CHM1503YJGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM1592GPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 500 mAmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SC-59/SOT-346FEATURE* Small flat package. (SC-59)* High density cell design for extremely low RDS(ON). * Rugged and reliable.(2)* High sat

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top