CHM3301PAGP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CHM3301PAGP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 265 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
Encapsulados: TO-252
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CHM3301PAGP datasheet
chm3301pagp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM3301PAGP SURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 28 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. D-PAK(TO-252) FEATURE * Small flat package. ( TO-252 ) * Super high density cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40) .280 (7.10) * Hi
chm3301jgp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM3301JGP SURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 7.0 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. SO-8 FEATURE * Small flat package. (SO-8 ) ( ) * Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160 ( ) 3.70 0.146 * High power
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History: HM2301BSR | BSR606N
🌐 : EN ES РУ
Liste
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