Справочник MOSFET. CHM3301PAGP

 

CHM3301PAGP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CHM3301PAGP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 42 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 28 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 19.6 nC
   Время нарастания (tr): 9 ns
   Выходная емкость (Cd): 265 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.032 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для CHM3301PAGP

 

 

CHM3301PAGP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:101K  chenmko
chm3301pagp.pdf

CHM3301PAGP CHM3301PAGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM3301PAGPSURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 28 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D-PAK(TO-252)FEATURE* Small flat package. ( TO-252 )* Super high density cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40).280 (7.10)* Hi

 7.1. Size:174K  chenmko
chm3301jgp.pdf

CHM3301PAGP CHM3301PAGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM3301JGPSURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 7.0 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160( )3.70 0.146* High power

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top