CHM4600JGP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CHM4600JGP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 2 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 7.3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3 V

Carga de compuerta (Qg): 21 nC

Tiempo de elevación (tr): 34 nS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.022 Ohm

Empaquetado / Estuche: SO-8

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CHM4600JGP Datasheet (PDF)

1.1. chm4600jgp.pdf Size:110K _update_mosfet

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD SURFACE MOUNT CHM4600JGP Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor N-channel: VOLTAGE 30 Volts CURRENT 7.3 Ampere P-channel: VOLTAGE 30 Volts CURRENT 4.6 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. SO-8 FEATURE * Small flat package. (SO-8 ) ( ) * Super high dense cell design for extremely low

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