CHM4600JGP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CHM4600JGP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 2 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 7.3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3 V
Carga de compuerta (Qg): 21 nC
Tiempo de elevación (tr): 34 nS
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.022 Ohm
Empaquetado / Estuche: SO-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET CHM4600JGP
CHM4600JGP Datasheet (PDF)
1.1. chm4600jgp.pdf 
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CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD SURFACE MOUNT CHM4600JGP Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor N-channel: VOLTAGE 30 Volts CURRENT 7.3 Ampere P-channel: VOLTAGE 30 Volts CURRENT 4.6 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. SO-8 FEATURE * Small flat package. (SO-8 ) ( ) * Super high dense cell design for extremely low
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