CHM4600JGP Todos los transistores

 

CHM4600JGP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CHM4600JGP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm

Encapsulados: SO-8

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CHM4600JGP datasheet

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CHM4600JGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD SURFACE MOUNT CHM4600JGP Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor N-channel VOLTAGE 30 Volts CURRENT 7.3 Ampere P-channel VOLTAGE 30 Volts CURRENT 4.6 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. SO-8 FEATURE * Small flat package. (SO-8 ) ( ) * Super high dense cell design for extremely low

Otros transistores... CHM451ANZGP , CHM4531JGP , CHM4531PAGP , CHM4532JGP , CHM4539JGP , CHM453NZGP , CHM4559JGP , CHM456NZGP , IRF9540 , CHM4800AJGP , CHM4804AJGP , CHM4804JGP , CHM4808JGP , CHM4892JGP , CHM4936JGP , CHM4946JGP , CHM4948JGP .

 

 

 


 
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