CHM4600JGP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CHM4600JGP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для CHM4600JGP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CHM4600JGP даташит

 ..1. Size:110K  chenmko
 chm4600jgp.pdf pdf_icon

CHM4600JGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD SURFACE MOUNT CHM4600JGP Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor N-channel VOLTAGE 30 Volts CURRENT 7.3 Ampere P-channel VOLTAGE 30 Volts CURRENT 4.6 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. SO-8 FEATURE * Small flat package. (SO-8 ) ( ) * Super high dense cell design for extremely low

Другие IGBT... CHM451ANZGP, CHM4531JGP, CHM4531PAGP, CHM4532JGP, CHM4539JGP, CHM453NZGP, CHM4559JGP, CHM456NZGP, IRF9540, CHM4800AJGP, CHM4804AJGP, CHM4804JGP, CHM4808JGP, CHM4892JGP, CHM4936JGP, CHM4946JGP, CHM4948JGP