NDP410A Todos los transistores

 

NDP410A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NDP410A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

 Búsqueda de reemplazo de NDP410A MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

NDP410A Datasheet (PDF)

 0.1. Size:57K  fairchild semi
 ndb410ae ndb410b ndb410be ndp410ae ndp410b vndp410be.pdf pdf_icon

NDP410A

May 1994 NDP410A / NDP410AE / NDP410B / NDP410BENDB410A / NDB410AE / NDB410B / NDB410BEN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description FeaturesThese N-channel enhancement mode power field9 and 8A, 100V. RDS(ON) = 0.25 and 0.30. effect transistors are produced using Fairchild'sCritical DC electrical parameters specified atproprietary, high cell density

Otros transistores... NDH8502P , NDH8503N , NDH8504P , NDP4050 , NDP4050L , NDP4060 , NDP4060L , NDP408A , IRF4905 , NDP5060 , NDP5060L , NDP508A , NDP510A , NDP6020 , NDP6020P , NDP6030 , NDP6030L .

History: WM02P06L | AO8842 | MTM10N100E | IPD200N15N3 | AOD450 | CS13N60P | APT10035B2FLL

 

 
Back to Top

 


 
.