CHM51A3ZGP Todos los transistores

 

CHM51A3ZGP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CHM51A3ZGP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0195 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-223
 

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CHM51A3ZGP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:68K  chenmko
 chm51a3zgp.pdf pdf_icon

CHM51A3ZGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM51A3ZGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 9.5 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SC-73/SOT-223FEATURE* Small flat package. (SC-73/SOT-223)1.65+0.15* High density cell design for extremely low RDS(ON). 6.50+0.200.90+0.05

 7.1. Size:108K  chenmko
 chm51a3pagp.pdf pdf_icon

CHM51A3ZGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM51A3PAGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 35 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D-PAK(TO-252)FEATURE* Small package. (TO-252)* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40).280 (7.10)* High power

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History: FQI13N06LTU | NCE65NF068LL | IXTM10N60 | SM6A24NSU | DMG4822SSD | STD100NH02LT4 | RSM5853P

 

 
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