CHM51A3ZGP Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CHM51A3ZGP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0195 Ohm

Encapsulados: SOT-223

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CHM51A3ZGP datasheet

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CHM51A3ZGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM51A3ZGP SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 9.5 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. SC-73/SOT-223 FEATURE * Small flat package. (SC-73/SOT-223) 1.65+0.15 * High density cell design for extremely low RDS(ON). 6.50+0.20 0.90+0.05

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CHM51A3ZGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM51A3PAGP SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 35 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. D-PAK(TO-252) FEATURE * Small package. (TO-252) * Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40) .280 (7.10) * High power

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