Справочник MOSFET. CHM51A3ZGP

 

CHM51A3ZGP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CHM51A3ZGP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 14 nC
   trⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0195 Ohm
   Тип корпуса: SOT-223

 Аналог (замена) для CHM51A3ZGP

 

 

CHM51A3ZGP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:68K  chenmko
 chm51a3zgp.pdf

CHM51A3ZGP CHM51A3ZGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM51A3ZGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 9.5 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SC-73/SOT-223FEATURE* Small flat package. (SC-73/SOT-223)1.65+0.15* High density cell design for extremely low RDS(ON). 6.50+0.200.90+0.05

 7.1. Size:108K  chenmko
 chm51a3pagp.pdf

CHM51A3ZGP CHM51A3ZGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM51A3PAGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 35 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D-PAK(TO-252)FEATURE* Small package. (TO-252)* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40).280 (7.10)* High power

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IRF5802PBF | IRF520

 

 
Back to Top