Справочник MOSFET. CHM51A3ZGP

 

CHM51A3ZGP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CHM51A3ZGP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9.5 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 14 nC
   Время нарастания (tr): 7 ns
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0195 Ohm
   Тип корпуса: SOT-223

 Аналог (замена) для CHM51A3ZGP

 

 

CHM51A3ZGP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:68K  chenmko
 chm51a3zgp.pdf

CHM51A3ZGP CHM51A3ZGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM51A3ZGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 9.5 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SC-73/SOT-223FEATURE* Small flat package. (SC-73/SOT-223)1.65+0.15* High density cell design for extremely low RDS(ON). 6.50+0.200.90+0.05

 7.1. Size:108K  chenmko
 chm51a3pagp.pdf

CHM51A3ZGP CHM51A3ZGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM51A3PAGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 35 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D-PAK(TO-252)FEATURE* Small package. (TO-252)* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40).280 (7.10)* High power

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top