Справочник MOSFET. CHM51A3ZGP

 

CHM51A3ZGP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CHM51A3ZGP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0195 Ohm
   Тип корпуса: SOT-223
 

 Аналог (замена) для CHM51A3ZGP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CHM51A3ZGP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:68K  chenmko
 chm51a3zgp.pdf pdf_icon

CHM51A3ZGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM51A3ZGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 9.5 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SC-73/SOT-223FEATURE* Small flat package. (SC-73/SOT-223)1.65+0.15* High density cell design for extremely low RDS(ON). 6.50+0.200.90+0.05

 7.1. Size:108K  chenmko
 chm51a3pagp.pdf pdf_icon

CHM51A3ZGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM51A3PAGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 35 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D-PAK(TO-252)FEATURE* Small package. (TO-252)* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40).280 (7.10)* High power

Другие MOSFET... CHM4936JGP , CHM4946JGP , CHM4948JGP , CHM4953JGP , CHM4955JGP , CHM50N06NGP , CHM50N06PAGP , CHM51A3PAGP , IRFB3607 , CHM540ANGP , CHM540APAGP , CHM5506JGP , CHM5813ESQ2GP , CHM5P03PAGP , CHM6030LPAGP , CHM6031LPAGP , CHM603ALPAGP .

History: APT38F50J | BUK7Y7R6-40E | ZXMN6A25GTA | GP1M009A070X | BL4N80-D | LND06R079 | PHB129NQ04LT

 

 
Back to Top

 


 
.