CHM540ANGP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CHM540ANGP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 140 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 37.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.048 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CHM540ANGP

CHM540ANGP Datasheet (PDF)

..1. Size:108K chenmko
chm540angp.pdf

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM540ANGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 100 Volts CURRENT 36 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D2PAKFEATURE* Small package. (D2PAK)0.420(10.67)0.190(4.83)* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). 0.380(9.69)0.160(4.

7.1. Size:86K chenmko
chm540apagp.pdf

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM540APAGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 100 Volts CURRENT 25 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D-PAK(TO-252)FEATURE* Small package. (TO-252)* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40).280 (7.10)* High power

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FQD12N20

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: