Справочник MOSFET. CHM540ANGP

 

CHM540ANGP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CHM540ANGP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 36 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 37.5 nC
   Время нарастания (tr): 11 ns
   Выходная емкость (Cd): 240 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.048 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK

 Аналог (замена) для CHM540ANGP

 

 

CHM540ANGP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:108K  chenmko
chm540angp.pdf

CHM540ANGP CHM540ANGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM540ANGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 100 Volts CURRENT 36 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D2PAKFEATURE* Small package. (D2PAK)0.420(10.67)0.190(4.83)* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). 0.380(9.69)0.160(4.

 7.1. Size:86K  chenmko
chm540apagp.pdf

CHM540ANGP CHM540ANGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM540APAGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 100 Volts CURRENT 25 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D-PAK(TO-252)FEATURE* Small package. (TO-252)* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40).280 (7.10)* High power

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top