CHM6607JGP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CHM6607JGP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.086 Ohm

Encapsulados: SO-8

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CHM6607JGP datasheet

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CHM6607JGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM6607JGP SURFACE MOUNT Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 3.8 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. SO-8 FEATURE * Small flat package. (SO-8 ) ( ) * Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160 ( ) 3.70 0.146 * High

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CHM6607JGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM6601JGP SURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 4.3 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. SO-8 FEATURE * Small flat package. (SO-8 ) ( ) * Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160 ( ) 3.70 0.146 * High power

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CHM6607JGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM6601PAGP SURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 16 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. D-PAK(TO-252) FEATURE * Small flat package. ( TO-252 ) * High density cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40) .280 (7.10) * Rugged a

Otros transistores... CHM6426PAGP, CHM6426XGP, CHM6428JGP, CHM6503GP, CHM6561QGP, CHM65A3PAGP, CHM6601JGP, CHM6601PAGP, AO3400A, CHM6861JGP, CHM6861ZGP, CHM703ALPAGP, CHM7101JGP, CHM71A3PAGP, CHM72A3NGP, CHM72A3PAGP, CHM730GPAGP