CHM6861JGP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CHM6861JGP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de CHM6861JGP MOSFET
CHM6861JGP Datasheet (PDF)
chm6861jgp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM6861JGPSURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 3.5 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160( )3.70 0.146* High power
chm6861zgp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM6861ZGPSURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 3.5 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SC-73/SOT-223FEATURE* Small flat package. ( SC-73/SOT-223 )1.65+0.15* High density cell design for extremely low RDS(ON). 6.50+0.200.90+0.
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Liste
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